俄罗斯现已拟定了一份“道路图”，方案开发一种更廉价、更高效的光刻设备，用来出产现代化芯片，这种设备将优于现在由荷兰ASML公司垄断市场的光刻机。依据俄罗斯科学院微结构物理研究所（ИФМ РАН）科研人员尼古拉·奇哈洛的“高性能X射线光刻开展新概念”，俄罗斯挑选不完全仿制ASML的技能道路纳米的新式光刻设备，以下降研制本钱并简化制作流程。

  俄罗斯的这一立异性概念估计将削减设备体积和制作复杂性，一起下降出产与运营本钱。例如，波长从13.5纳米缩短到11.2纳米后，设备的分辩才能将提高20%。此外，俄方方案用氙替代锡作为激光等离子光源，这将明显削减光学元件的污染，并延伸贵重零部件如反射镜和保护膜的使用寿命。

  这种改善还可能带来资料上的立异，例如选用含硅光刻胶以提高11.2纳米波长下的加工功率。虽然如此，新设备的出产才能与ASML的旗舰机型比较仍略显缺乏，但在小规模芯片出产中仍然具有实用性。

  如表所示，在激光平均功率为3.6千瓦的情况下，预期在11.2纳米波长下的出产率将比ASML光刻机低约2.7倍。

  - 集成高效多镜头投影体系和多千瓦激光器，用于200/300毫米晶圆的工艺测验。

  - 开发合适工业使用的高性能光刻设备，方案量产直径300毫米晶圆的设备，出产才能超每小时60片。

  因为西方制裁，俄罗斯难以获得国外先进光刻设备，这加重了国内自主研制的重要性。方案中的光刻设备将使俄罗斯完结技能主权，并为中小型芯片制作商供给更具本钱效益的挑选。

  虽然应战重重，包含资金缺乏和人才匮乏，俄罗斯决计经过立异道路图来打破现在的困局，并期望在2028年前完结研制作业。未来，这些设备或许还能出口至其他非尖端芯片制作商，为全球芯片出产供给新挑选。